五大巨头结盟抗中！中国龙头股价大跌

美国半导体设备龙头“应用材料”，耗资50亿美元的研发中心正式揭幕，成功号召台积电、三星、SK海力士与英特尔结盟。外媒分析，全球大厂联手，旨在防堵长鑫存储。

美商应用材料（Applied Materials），斥资五十亿美元打造的EPIC创新商业化中心，10月13日盛大在加州启用，罕见集结了台积电、三星、SK海力士以及英特尔等全球芯片制造业者，以及博通在内多家封测、材料业者，韩媒报道，跨国研发联盟的成形，核心目标是借由设备与制程协同，拉开与中国半导体的技术迭代差距。

Applied Materials执行长Gary Dickerson（2026.10.13）：“对应用材料来说，我们正与客户共同创造未来十年的运算架构。这种Epic平台的共同创新，使我们在与客户共同开发架构时，能将我们的产品与服务深度整合进去。这也更加明确未来我们的投资方向。”

美系业者态度积极，也与美中半导体竞争大有关系！美国出口管制，中共转由官方主导本土设备发展，中国DRAM龙头长鑫存储，利用DUV微影技术，不仅开始量产LPDDR6，宣布领先韩厂导入“4F平方”架构DDR5伺服器记忆体，全球市占率快速扩张，已经对韩系记忆体业者，造成巨大价格压力。

市场预期，面对长鑫存储以产能与价格强势切入，西方与亚洲半导体巨头借由共享设备平台紧密站队，力图在先进运算与储存技术上，筑起防御护城河。

台积电董事长魏哲家，力挺研发中心成立，有助于加速2奈米以下技术创新，从研发走向高量产制造，推动未来高能源效率的AI架构。

长鑫科技市值蒸发逾万亿 曾涉三星技术外泄案

图为2015年7月28日，北京一家证券公司内，投资者正在查看股市行情。（Fred Dufour/AFP via Getty Images）

大陆存储芯片企业长鑫科技10月15日股价下跌5.24%，总市值跌破3万亿元（人民币，下同），由A股市值首位退居第三。其股价较8月高点下跌近三成，不到两个月市值蒸发逾1万亿元。

上市不足三个月 跌至A股第三

据《财闻》报道，长鑫科技当天收报每股43.59元，总市值约2.96万亿元；工商银行总市值约3.03万亿元，重新位居A股首位，建设银行以约3万亿元排名第二。

长鑫科技发行价为每股8.66元，7月27日在上海证券交易所科创板上市，首日收报49元，上涨465.82%，总市值约3.28万亿元，超过工商银行。

8月17日，长鑫科技股价进一步升至61.8元，总市值约4.13万亿元，此后持续回落，市值先后跌破4万亿元和3万亿元。

长鑫科技此次上市最终募集资金约666亿元，创下科创板首次公开募股募资规模纪录，上市首日成交额达1411.87亿元。

该公司主要从事动态随机存取存储器（DRAM）的研发、生产和销售，产品用于服务器、手机等设备。

上市前后，一些大陆投资者在股票论坛将长鑫科技与2007年上市后的中石油相比，担心在高位买入后被套牢。

多次公布技术进展 股价仍下跌

市场研究机构Counterpoint今年9月发布的数据显示，按销售收入计算，长鑫科技旗下长鑫存储今年第二季度占全球DRAM市场约10%，排名第四。

长鑫存储近两个月多次公布技术和产品进展，称新一代手机内存已经量产，并预计年底推出新款服务器内存产品，但长鑫科技股价同期持续回落。

长鑫存储卷入三星技术外泄案

长鑫存储还被指涉及三星DRAM核心制程资料外泄。今年8月，一名曾任职三星电子、后来参与长鑫存储创立的全姓工程师在韩国首尔中央地方法院作证称，长鑫存储2016年成立之初，公司高层便试图取得三星的18纳米DRAM制程资料。

韩国检方称，这项技术由三星耗时5年、投入约1.6万亿韩元研发，相关资料外泄至长鑫存储后，经修改和验证，被用于量产10纳米级DRAM芯片。

韩国检方此前起诉全某等10人。全某因非法取得并使用三星相关技术，于今年4月22日被一审判处7年徒刑。