中国开始量产光刻机 CNBC点出1大致命伤
彭博27日引述IT媒体《资讯报》报道，一家总部位于中国上海的国有半导体设备公司已开始量产浸没式深紫外曝光设备（DUV）。报道虽未透露该公司名称，但称其计划今年生产约5套系统，明年生产约20套DUV。
对此，美媒CNBC报道，中国芯片领域的突破进展仍存在一些重大隐患，包括仅限非常低阶的领域、制造芯片设备的良率是很大的挑战。
CNBC报道，ASML在DUV和EUV曝光机设备市场占据主导地位，其他公司一直未能复制ASML的技术，因此，一家中国公司据称做到这一点，即使意义重大，然而，最新进展将对该公司产生何种影响，仍是个未知数。
谈到中国DUV曝光机的性能，半导体制造商关注的重点是良率，它指的是制程中可生产的可用芯片数量。所有代工厂的目标都是实现最高的良率。目前尚不清楚中国厂商使用自主研发的DUV能否达到或超过ASML设备的芯片良率。如果良率远低于ASML设备，可能会阻碍中国国产DUV的普及应用。
中国实现DUV曝光机国产化的消息传出后，ASML股价当日下跌8.4%。尽管美国对中国半导体出口实施管制，但市场预期中国在自主研发曝光机设备方面取得进展，似乎影响了投资者情绪。
面对市场的恐慌抛售，摩根大通分析师直言市场“过度反应”；半导体分析师陆行之剖析，短期内虽难以撼动ASML地位，但长线“国产替代”效应仍是隐忧。
据了解，该设备的研发主体与其说是单一公司，不如说是一个在地化联合体。资料显示，该设备的研发是由多家中国企业的深潜器研发机构整合完成的。
业内人士认为中国制造的曝光机设备与ASML的设备之间存在显著的技术差距。（路透）
业内人士认为，除上海宇量昇科技公司、深圳市新凯来公司、上海微电子设备公司（SMEE）外，华为和清华大学的一个研究团队也参与这项技术的研发。新凯来是一家由华为前员工创立的半导体设备制造商，被中国政府列为半导体自主研发策略的重点企业之一。
资讯显示，这批设备计划供应给中芯国际、长江存储和华虹半导体等中国主要芯片制造商。由于美国出口管制，中国芯片企业无法获得极紫外光曝光机（EUV）设备，因此计划将多重曝光制程应用于浸没式DUV设备，以继续生产智慧型手机和人工智慧芯片。
曝光机设备可分为极紫外线 （EUV） 系统和深紫外线 （DUV） 系统，其中DUV主要用于10奈米及以上的制程。虽然EUV 在尖端制程中的应用更为广泛，但DUV在成熟制程和一些先进制程中也拥有稳定的市场需求。
自2019年以来，美国一直向荷兰政府施压，要求限制ASML向中国出口EUV设备，并于2023年将尖端的浸没式DUV设备也纳入管制范围。
然而，业内人士仍然认为中国制造的设备与ASML的设备之间存在显著的技术差距。ASML每年生产超过130套浸没式深潜器系统，而中国设备今年的产量目标仍只有五套左右。其技术水平与ASML早期浸没式深潜设备类似，分析表明，在精度、产量和设备可靠性方面，中国设备仍存在多年的差距。