华为芯片真实表现 最新报告发布拆解结果
中国华为Mate 80 Pro Max智慧型手机，搭载的麒麟9030 Pro芯片，采用中芯国际 N+3 制程，这是其早期 N+2（7奈米制程）的进阶版，为迄今为止中国最先进的国产半导体制造技术。《SemiAnalysis》15日发布拆解结果，中芯 N+3 制程相当于台积电的 N6 制程（6奈米，属于7奈米家族强化版），但制程成熟度、良率及成本仍无法与台积电N6相提并论，中国并没有缩小与台积电、英特尔、三星和之间的差距。
《SemiAnalysis》发布报告指出，拆解华为Mate 80系列所搭载的麒麟9030，揭开中芯中芯国际 N+3 制程真实水准。中国半导体技术虽有进展，仍远远落后台积电。
报告显示，中芯国际 N+3 制程在电晶体密度上相当于 N6 制程（6奈米，属于7奈米家族强化版）制程，但付出的代价相当大，需要更复杂的DUV多重曝光技术，因此在制程成熟度和成本仍无法与台积电N6相提并论。
报告还指出，华为麒麟9030 Pro的效能与三年前的安卓旗舰芯片相仿，远落后于苹果、高通、联发科和三星目前的旗舰级芯片，能效差距则更大。
报告指出，美国联手盟友对中国的出口管制，并未阻止华为和中芯国际交付先进芯片，但却迫使它们另辟蹊径。由于无法使用EUV，中芯国际更加依赖DUV多重曝光、DTCO（设计制程协同优化），以及日益复杂的整合技术。
尽管路线图仍在透过更严格的设计规则和背面功耗来推进，但每一步都会增加成本和制程风险，华为的韬定律和LogicFolding则展现了另一条路。
报道直言，中芯国际尚未超越英特尔或台积电。它采用激进的DUV微缩技术和DTCO技术实现了台积电N6等级的密度，但由于两个原因，这种密度并没有转化为可比拟的性能和效率：一是与领先制程的差距，二是华为的核心设计。
中国并没有缩小与英特尔、三星和台积电之间的差距。拆解结果在多个地方都显示出相反的情况：没有采用EUV，没有背面功耗控制，制程复杂度更高，而且有明显的取舍。
报告总结，中国仍不断推进半导体技术，如果国产芯片的性能足以满足手机、推理、网络和安全敏感型工作负载的需求，即使无法在技术领先地位上与台积电匹敌，它们也能在战略上发挥重要作用。
研调揭露中国半导体技术现况及困境。示意图。（路透）
