中国半导体水准 仅落后台积电3年?
日媒报道，日本半导体调查企业TechanaLye社长清水洋治表示，经过分析，尽管良率上仍存有差异，但是中国芯片的技术实力，目前仅落后台积电3年的水准。
日经中文网今天报道，清水洋治是在比较台积电2021年量产的5奈米“KIRIN 9000”，以及2024年中芯国际量产的7奈米“KIRIN 9010”后，作出上述结论。根据报道，二者的处理性能已基本相同。
“KIRIN 9010”是由华为旗下的海思半导体设计，由中国半导体厂中芯国际负责量产，这一处理器在今年4月上市的华为最新款智慧手机Pura 70 Pro上使用；而2021年的应用处理器“KIRIN 9000”是由海思半导体设计，台积电负责量产。
美国政府的警惕对象中芯国际，采用的是线路线宽为7奈米的技术；而台积电当时采用5奈米的量产制程，向华为供应处理器。
一般来说，如果线路线宽变窄，半导体的处理性能就会提高，半导体面积则会变小。据报道，中芯国际以7奈米量产的芯片面积为118.4平方毫米，台积电的5奈米芯片则为107.8平方毫米，面积没有太大差异，处理性能也基本相同。
报道指出，虽然二者在良率上存在差距，但从出货的半导体芯片的性能来看，中芯国际的实力已追赶到比台积电落后3年。虽然线路线宽为7奈米，但可以发挥与台积电的5奈米相同的性能，因此可分析出海思半导体的设计能力也进一步提高。
华为的Pura 70 Pro除了存储芯片和传感器之外，还搭载了支撑镜头、电源、显示器功能的共37个半导体。
其中，海思半导体承担14个，其他中国企业承担18个，从中国以外的芯片来看，只有韩国SK海力士（SK Hynix）的DRAM、德国博世（Bosch）的运动传感器等5个。实际上，86%的半导体产自中国。
清水洋治分析华为最新款智慧型手机，得出的结论是，“到目前为止，美国政府的管制只是略微减慢了中国的技术创新，但推动了中国半导体产业的自主生产”。
▲日本半导体调查企业：中国芯片技术仅落后台积电3年水准。
根据半导体行业团体SEMI数据显示，从2023年制造设备的各地区销售比重来看，中国占34.4%，且购买了韩国和台湾约2倍的设备。
报道指出，虽然最尖端半导体制造设备的出口管制备受关注，但实际情况是，中国不断采购管制对象外的设备，稳步磨练量产技术。
